深圳市天鉉真空技術(shù)有限公司 薄膜材料，ULVAC的半導體用靶材坩堝，鍍鍋，坩堝蓋板

領(lǐng)先的尖端薄膜材料，ULVAC的半導體用靶材，以

?低particle
?均勻的薄膜厚度分布
?使用效率高
作為品質(zhì)目標，對每種材料研討制造方法，進而開發(fā)制造的高品質(zhì)濺射靶。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
 ? 采用最合適制造方法的濺射靶

ULVAC為了滿足半導體工藝所需的各種要求，采用最合適的制造方法，進行靶材的開發(fā)和制造。
? 抑制particle發(fā)生的濺射靶
濺射中發(fā)生問題，ULVAC開發(fā)了抑制particle發(fā)生的濺射靶。特別是，根據(jù)在Al靶的精煉和鑄造過程中采用的真空溶解法，我們正在努力減少氧氣等氣體成分，因為這是particle產(chǎn)生的原因之一。
? 通過金屬結(jié)構(gòu)調(diào)整實現(xiàn)高均勻性
ULVAC的高純度鈷靶和鈦靶開始，大多數(shù)半導體靶材采用的制造工藝，注重精細和均質(zhì)化的冶金結(jié)構(gòu)。比如，在高純度鈷靶中，通過金屬結(jié)構(gòu)的精細和均勻化，使靶材表面上的漏磁通量偏差最小化。
? 完全的品質(zhì)管體體制
我們ULVAC考慮對產(chǎn)品的特性和形狀，貫徹始終地進行制造。
? 通過金屬結(jié)構(gòu)調(diào)整實現(xiàn)高均勻性
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
鎢靶的GDMS分析結(jié)果